產業要聞... 3

DRAM大漲 現貨價重回1美元... 3

價格觸底DRAM 寄望法說行情... 3

半導體B/B值 連四月回升... 4

PCB本季營運 上冷下熱... 5

PCB軟板出貨 景氣指標... 5

電鍍產業 深圳擬西遷... 6

欣興穩坐台灣PCB一哥... 6

新聞側寫》南科等力晶 等了十年... 7

瑞晶产能赶超茂德 恐将成为08年全球DRAM市场恐1颗不定时炸弹... 7

2007年中国半导体市场收入将增15% 首次突破500亿美元... 8

國際產業... 9

台積電8吋設備 轉給上海松江廠... 9

超微虧損擴大 IBM成長12%.. 9

超微看淡本季 概念股「消瘦」... 10

英特爾 Q1財測衰 股價飆淚... 11

特許打破代工雙雄在日本獨佔情勢... 11

Matsushita為200mm影像感測器廠耗資940億日圓... 12

英特爾、超微 樂觀看上半年景氣... 12

業界動態... 13

原相淡季效應 漸散... 13

找到利基點 持續耕耘... 13

一元化服務 競爭利器... 14

原相本季營運 可回到常軌... 15

聯發科併ADI 營收可增10%.. 15

交大奇美 把晶片帶入醫療... 16

力晶茂德 虧損將縮小... 17

瑞昱立錡營收 淡季不淡... 18

力成科技與IBM簽訂「超密腳距覆晶技術」顧問合約... 19

IC設計股 土洋大點兵... 20

意法半導體（ST）的MEMS感測器讓 Gyration 的新型 PC 和 Media Remotes 擁有 In-Air 運動控制功能... 20

市場趨勢... 21

IC設計 看利基型表現... 21

SEMI公佈北美半導體設備商 十二月B/B Ratio 為0.89. 22

11月晶片銷售額減緩 2007成長前景黯淡... 22

分析師：晶圓需求減緩取決於300mm晶圓廠時間表... 23

技術發展... 23

透過全面性元件充電模式（CDM）靜電放電（ESD）失效的分析以提昇良率... 23

良率改善的個案研究... 28

結論... 28

致謝... 28

參考文獻... 29

作者... 30

進化的新晶片設計將矛頭對準照明系統... 30

Oleg Shchekin, Decai Sun. 30

垂直架構的問題... 31

產品導入... 32

作者... 32

台积电最新推出先进制程MLM服务 适合小量生产... 33

Low k、High k到底在幹嘛？... 33

銅線路製程... 34

絕緣矽技術... 35

高介電值金屬閘極技術... 35

新技術持續嘉惠大眾... 36

產品新訊... 36

日立化成超薄半导体封装底板材料面市 满足底板薄型化要求... 37

美国多核内存芯片架构实现并行访问 成为设计一大突破... 37

ST的MEMS感測器實現Gyration產品的運動控制功能... 38

企業人物... 38

名人講堂－工研院IEK中心主任杜紫宸 綠色能源不切實際 核能發電成為必然... 38

替代能源緩不濟急 每年僅能滿足1%能源需求... 39

核能發電將是過渡時期最佳替代性能源... 39

大陸加速拓展核能發電　台灣經濟恐遭危機... 39

DRAM大漲 現貨價重回1美元

記者周志恆、何易霖／台北報導／經濟日報

DRAM記憶體景氣春燕飛來，集邦科技（DRAMeXchange）昨（17）日晚盤最新DRAM現貨報價，512Mb DDRII品牌顆粒報價勁揚逾4%，均價重回暌違三個月的1美元，並激勵有效測試顆粒（eTT）均價衝上0.96美元，同創近期新高。

本土DRAM廠將自下旬起陸續召開法說會並揭露去年第四季與全年財報，下周二（22日）南科、華亞科打頭陣，分析師表示，去年第四季DRAM價格不振，業者財報難看已在預期中，從近期DRAM報價回穩來看，業者營運可望漸入佳境，法說會上對於業績展望應該都屬正面解讀。

市場原預期DRAM合約價最快要到農曆年前才有機會反彈，但昨天DRAM現貨價突破1美元，不僅比業界預期來得早，更有助帶動元月下旬合約價走勢朝正向發展。DRAM族群昨天股價陸續表態，力晶、南科、華亞科都以漲停價收盤；茂德則收在最高價8.69元，漲幅逾6%。

根據集邦報價，512Mb 667MHz DDRII品牌顆粒昨天均價站穩1美元關卡，是去年11月失守1美元後，首度重回1美元價位，盤中最高價達1.1美元，近一個月來該規格顆粒均價漲幅已近10%，價格底部反彈意味濃厚；512Mb DDRII有效測試顆粒均價同步走揚，均價0.96美元，也是近來新高。

集邦估計，隨DRAM廠在2月陸續進行歲修，減少產出，加上個人電腦銷售量可望自3月起走揚，將帶動512Mb顆粒價格上攻到1至1.2美元。若第二季前，DRAM廠商宣布部分停產或降低資本支出，則1Gb DDRII顆粒可望率先起漲，突破2.5美元，將帶領DRAM廠告別虧損。

業者認為，DRAM現貨價波動幅度較大，但一路重挫後，底部已經成形，反彈是必然趨勢，本月上旬合約價格止跌行情確立，下旬合約價至少會有持平以上走勢，並維持緩漲格局。

價格觸底DRAM 寄望法說行情

記者周志恆／台北報導／聯合報

DRAM價格底部浮現且逐步反彈，市場預期力晶（5346）、茂德（5387）、南科（2408）、華亞科（3474）本季虧損可望大幅縮小。DRAM廠第四季法說日期已大致敲定，南科、華亞科訂22日舉行，茂德、力晶分別於29日、30日召開，市場寄望廠商在法說會上釋出正面利多消息。

農曆春節前回補庫存買盤出籠，加上大廠殺價動作趨緩，DRAM現貨價近兩個交易日大舉反彈逾6%，主流規格DDRⅡ512Mb ETT昨日重新站回0.92美元，1Gb規格更大漲近4%，重回1.83美元。

交易商表示，DRAM這波在回補庫存買盤支撐下，價格有機會持續小漲或持穩至農曆年以後，3月進入第二、三季傳統備料旺季，屆時價格還有續彈空間。

不過，DRAM現貨、合約價去年第四季均較前一季大跌五成以上，市場預估，力晶等四家業者第四季虧損合計超過250億元以上。其中力晶第四季虧損落於100億元附近，茂德虧損約70到80億元，南科約虧損50億元，華亞科虧損20到30億元。

值得注意的是，力晶去年12月營收43.34億元，已較11月小幅成長0.5%，是否意味產業景氣觸底反彈，市場正密切觀察中。力晶表示，目前下游通路庫存已逐漸去化，且帶動市場需求回溫，由於DRAM價格低廉，已促使電腦供應商增加記憶體容量，未來整體市場胃納將有可觀成長空間。

投信法人指出，DRAM股價普遍跌落淨值之下，站在資產重置角度及DRAM價格已露出反彈端倪的角度，類股中長線投資價值應已逐步浮現，本月下旬DRAM廠商虧損財報公布後，反倒可視為「利空出盡」。

反應現貨價反彈，DRAM類股昨日股價表現相對抗跌，力晶、茂德以平盤價的12.6、8.13元作收，南科、華亞科則分別上漲0.3元及0.6元，分別收在17.65及24.1元。

全球前二大DRAM廠南韓三星（Samsung）及海力士（Hynix），近期亦將公布去年第四季財報。業界推估，海力士DRAM部門第四季虧損恐高達3億美元，與前一季盈餘1.83億美元相較，明顯大幅衰退。

至於三星DRAM部門，第四季也將難逃虧損命運，不過，挾Flash生產仍有可觀盈餘下，三星整個記憶體部門應仍有盈餘出現。

至於美國DRAM大廠美光（Micron）2008會計年度第一季（9到11月）財報淨損2.62億美元，較前一季淨損1.58億美元擴大，且毛利率首季由正轉負，創2003年以來最差的成績。

半導體B/B值 連四月回升

記者陳碧珠╱台北報導／經濟日報

北美半導體設備暨材料協會（SEMI）昨（18）日公布去年12月訂單出貨比（